當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心半導(dǎo)體連續(xù)激光器
760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點,2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜(TDLAS)應(yīng)用而設(shè)計,內(nèi)置防靜電(ESD)保護(hù).
垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作
795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips正向電流 VF 典型值 1.8 V 輸出功率 Φ 典型值 0.13 mW 閾值電流 Ith 典型值 0.75 mA 斜率效能 SE 典型值 0.21 W / A 單模抑制比 SMSR 最小值 20 dB 偏振消光比5) PER 最小值 15 dB 峰值波長 λpeak-v 最小值 典型值 最大值 794.5 nm 795 nm 795.5 nm
Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。
Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長760nm 用于TDLAS氧氣檢測,以及795nm用于Rb原子鐘實驗,還有852nm用于CS原子冷卻。