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2004nm單模高功率DFB激光器具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性目前深受國(guó)內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫存波長(zhǎng)2004nm DFB用于TDLAS二氧化碳?xì)怏w檢測(cè)。

4.0um紅外高功耗臺(tái)式FP-QCL量子級(jí)聯(lián)激光器是筱曉光子開發(fā)的連續(xù)光激光器，輸出光功率比較高，準(zhǔn)直輸出功率有幾百毫瓦，能夠滿足中紅外測(cè)試的光源條件。并且臺(tái)式FP-QCL激光器模塊內(nèi)部集成了驅(qū)動(dòng)，溫控模塊，還可以用軟件控制調(diào)諧激光器的溫度和工作電流，能夠讓激光器穩(wěn)定工作，保持測(cè)量數(shù)值的準(zhǔn)確性。

760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL具有出光功率高，線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜（TDLAS）應(yīng)用而設(shè)計(jì),內(nèi)置防靜電（ESD）保護(hù).

894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs：以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。

1567nm VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器 1.0mW：以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型，N型布拉格發(fā)射器。