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簡(jiǎn)要描述:銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.22.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.2
2.2um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管響應(yīng)截止波長(zhǎng)達(dá)到2.2um,提供了出色的分流電阻,并在帶寬范圍內(nèi)具有出色的響應(yīng)度。
產(chǎn)品特點(diǎn):
有效直徑2mm,3 mm可選
擴(kuò)展的截止波長(zhǎng)2.2μm
高分流電阻
封裝形式TO-5
產(chǎn)品應(yīng)用:
氣體檢測(cè)
碳?xì)浠衔飩鞲?/p>
紅外光譜
光譜學(xué)
SWIR光電探測(cè)
技術(shù)參數(shù):
電學(xué)參數(shù)@ 23 oC ± 2 oC
參數(shù) | GAP2000/2.2 | GAP3000/2.2 | 單位 |
有效直徑 | 2 | 3 | mm |
峰值波長(zhǎng)(典型) | 2.0 ± 0.1 | 2.0 ± 0.1 | um |
截止波長(zhǎng) (50%) | 2.2 ± 0.1 | 2.2 ± 0.1 | µm |
響應(yīng)度@ λP(min/typ) | 0.9/1.0 | 0.9/1.0 | A/W |
分流電阻 (min/typ) | 6k/10k | 2k/6k | Ω |
暗電流(max) | 40 @ 1 V | 100 @ 1 V | µA |
電容 (typ) @ 0 V | 4000 | 8000 | pF |
帶寬 w/ 50 ? @ 0 V (typ) | 0.795 | 0.397 | MHz |
上升時(shí)間 w/ 50 ? @ 0 V (typ) | 440 | 881 | ns |
NEP @ λPEAK (typ) | 128 x 10-14 | 287 x 10-14 | W/Hz1/2 |
線性度 (± 0.2 dB @ 0 V) | 6 | 6 | dBm |
封裝 | TO-5 | TO-5 |
最大參數(shù)
參數(shù) | GAP2000/2.2 | GAP3000/2.2 | 單位 |
存儲(chǔ)溫度 | -40 to 125 | -40 to 125 | ℃ |
工作溫度 | -40 to 85 | -40 to 85 | ℃ |
反向電壓 | 1 | 1 | V |
反向電流 | 10 | 10 | mA |
正向電流 | 10 | 10 | mA |
功耗 | 50 | 50 | mW |
波長(zhǎng)響應(yīng)曲線
銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP2000/2.2
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