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簡(jiǎn)要描述：2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過(guò)光學(xué)浸沒來(lái)提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。
產(chǎn)品型號(hào)：廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時(shí)間：2024-12-06訪 問 量：1038詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列
PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過(guò)光學(xué)浸沒來(lái)提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。
產(chǎn)品特點(diǎn)
可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm
可配專用前置放大器
高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性
帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒，提升探測(cè)器的性能
產(chǎn)品應(yīng)用
熱成像
FTIR光譜學(xué)
激光外差探測(cè)
中紅外氣體分析
參數(shù) | 探測(cè)器型號(hào) | |
PVIA-3 | PVIA-5 | |
有源元件材料 | 外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu) | 外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu) |
最佳波長(zhǎng)λopt（μm） | 2.15±0.2 | 2.3±0.2 |
峰值波長(zhǎng) Peak wavelength λpeak, µm | 2.95±0.3 | 4.7±0.3 |
截止波長(zhǎng) Cut-off wavelength λcut-off (10 %), µm | 3.5±0.2 | 5.5±0.2 |
探測(cè)率Detectivity D* (λpeak), cm·Hz1/2/W | ≥5×1010 | ≥5×109 |
電流響應(yīng)度Ri (λpeak), A/W | ≥1.1 | ≥1.2 |
時(shí)間常數(shù)T，ns | ≤20 | ≤15 |
電阻R,Ω | PVIA-3≥2K, PVIA-5 ≥70 | |
感光面尺寸A,mm×mm | 1×1 | |
封裝 | TO39 | |
接收角Φ | ～36° | |
窗口 | 無(wú) | |
探測(cè)器光譜響應(yīng)特性曲線
封裝及尺寸
TO39型封裝外形尺寸圖
2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦 光伏探測(cè)器 PVIA系列
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