參數(shù)

最小值

典型值

最大值

單位

芯片溫度

65

85

105

°C

正向電流

800

900

mA

輸出功率

20

250

mW

基本參數(shù)

對(duì)每個(gè)樣品進(jìn)行測(cè)試@ CW, 85C, 800mA

參數(shù)

最小值

典型值

最大值

單位

輸出功率@ 900mA

250

mW

正向電壓

1.5

3

V

閾值電流

100

130

mA

功率轉(zhuǎn)換效率

18

%

峰值波長(zhǎng)*

1315

1320

1325

nm

波長(zhǎng)溫度調(diào)諧系數(shù)

90

pm/°C

波長(zhǎng)電流調(diào)諧系數(shù)

2.9

pm/mA

邊模抑制比 (SMSR)

40

45

dB

慢軸光束發(fā)散角 (FWHM)

7

8

9

deg

快軸光束發(fā)散角 (FWHM)

33

35

37

deg

偏振消光比 (PER)

15

20

dB

偏振

TE

*可根據(jù)要求提供范圍1270-1330nm范圍的其他波長(zhǎng)

噪聲特性

條件 @ CW, 85C, 800mA

參數(shù)

最小值

典型值

最大值

單位

線(xiàn)寬 (自外差法 @ 80MHz)

1

5

MHz

相對(duì)強(qiáng)度噪聲 (RIN)*

-140

dB/Hz

反饋靈敏度 (optical)**

-30

dB

* 平均值，測(cè)量范圍為DC-10GHz

** 單線(xiàn)光譜和RIN<-140dB/Hz

芯片參數(shù)

參數(shù)

最小值

典型值

最大值

單位

芯片長(zhǎng)度

3

mm

前端面的背向反射

0.01

0.1

%

后端面的背向反射

90

99

%