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Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm

簡(jiǎn)要描述：Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間：2024-12-07
  • 訪  問(wèn)  量：605

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子
總覽

Si雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補(bǔ)償；隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；APD溫度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)

Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm,Si雪崩單元探測(cè)器 400MHz 400-1100nm
通用參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

噪聲低

高增益

內(nèi)置高壓電源

APD溫度補(bǔ)償

結(jié)構(gòu)緊湊

內(nèi)置低噪隔離電源


產(chǎn)品應(yīng)用

光纖傳感

光纖通信

激光測(cè)距

光譜測(cè)量

ns 級(jí)光脈沖探測(cè)


產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)

APD-100M-B

APD-200M-B

APD-300M-B

APD-400M-B

APD-500M-B

APD-1G-B

APD-2G-B

單位

探測(cè)器類型

Si


波長(zhǎng)

400~1100

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

1G

2G

Hz

響應(yīng)度

25

25

25

25

25

25

25

A/W@850nm

跨阻增益

300K

300K

300K

300K

300K

300K

300K

V/W

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

Ω

飽和功率

13

13

13

13

13

13

30

uW

NEP

0.18

0.18

0.18

0.18

0.18

0.2

0.2

pW/√(Hz)

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

A

光學(xué)輸入

FC/APC（自由空間光可選）


射頻輸出

SMA


外形尺寸

65*50*20



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