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InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-300M-A

簡要描述：InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-300M-A

  • 產品型號：
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2024-12-07
  • 訪  問  量：609

詳細介紹

品牌其他品牌價格區(qū)間面議
組成要素半導體激光器產品及設備產地類別進口
應用領域化工,建材,電子
覽

超低噪聲光電單元探測模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出， 在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一，很好滿足客戶對更小信號探測以及更高信噪比的需求。

InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-300M-A InGaAs 超低噪單元探測器 UPD-300M-A
通用參數(shù)

產品特點            

噪聲超低

高增益

高帶寬

結構緊湊

內置低噪隔離電源


           

產品應用            

光纖傳感

光纖通信

激光測距

光譜測量

ns 級光脈沖探測


           

參數(shù)            

產品型號

UPD-100M-A

UPD-200M-A

UPD-300M-A

UPD-400M-A

UPD-500M-A

UPD-600M-A

UPD-800M-A

UPD-1G-A

UPD-1.2G-A

UPD-1.5G-A

UPD-2G-A

UPD-2.5G-A

UPD-5G-A

單位

探測器類型

InGaAs


波長

800~1700

nm

帶寬

100M

200M

300M

400M

500M

600M

800M

1G

1.2G

1.5G

2G

2.5G

5G

Hz

探測器響應度

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

0.95

A/W@1550nm

跨阻增益

30K

30K

30K

20K

15K

15K

30K

30K

30K

30K

30K

30K

6K

V/W

飽和光功率

140

140

140

420

280

280

140

140

140

420

140

140

700

μW

NEP

2.2

2.2

2.2

2.7

3.1

3.1

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

3.3

pW/Sqrt(Hz)

輸出阻抗

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

50

Ω

輸出耦合方式

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC/AC

DC

DC

AC

AC

AC

AC

AC

AC

AC


供電電壓

5

5

5

5

5

12

12

12

12

12

12

12

12

V

供電電流

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.5(max)

0.3

A

光學輸入

FC/APC（自由空間光可選）

FC/APC


射頻輸出

SMA

SMA


外形尺寸

65*50*20

65*50*25

80*90*25

mm


           


           

測試結果            

           


           


           

300MHz超低噪聲單元探測器


           


           

           


           

超低噪單元探測器與常規(guī)單元探測器底噪對比


   





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