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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品展示  >  光電探測器  >  InGaAs銦鎵砷光電探測器  >  GESTIN-2TE-TO8-3000Φ3mm 900-2700nm 兩級TEC冷卻 銦鎵砷InGaAs光電二極管 TO8封裝

Φ3mm 900-2700nm 兩級TEC冷卻 銦鎵砷InGaAs光電二極管 TO8封裝

簡要描述:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器
Φ3mm 900-2700nm 兩級TEC冷卻 銦鎵砷InGaAs光電二極管 TO8封裝

  • 產(chǎn)品型號:GESTIN-2TE-TO8-3000
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間:2024-12-09
  • 訪  問  量:605

詳細(xì)介紹

品牌其他品牌價(jià)格區(qū)間面議
組成要素半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,建材,電子
總覽

GESTIN-2TE-TO8系列單元InGaAs探測器主要由P-I-N結(jié)構(gòu)InGaAs光敏芯片、過渡電極板、溫度傳感器和兩級熱電冷卻器(2TE)組成,采用TO封裝形式。本用戶手冊僅介紹產(chǎn)品系列。

Φ3mm 900-2700nm 兩級TEC冷卻 銦鎵砷InGaAs光電二極管 TO8封裝,Φ3mm 900-2700nm 兩級TEC冷卻 銦鎵砷InGaAs光電二極管 TO8封裝
產(chǎn)品特點(diǎn)

●芯片有效直徑從300μm到3000μm

●900nm至2700 nm的光譜響應(yīng)

●高分流電阻,實(shí)現(xiàn)高靈敏度

●TEC內(nèi)置


產(chǎn)品應(yīng)用

●近紅外傳感/輻射測量

●LED/LD特性

●光譜學(xué)

●醫(yī)學(xué)診斷學(xué)

●光譜學(xué)


通用參數(shù)

E/O特性

結(jié)構(gòu)參數(shù)

Part Number

封裝

冷卻

光敏面直徑

芯片尺寸

電極尺寸

GESTIN-2TE-TO8-0300

TO-8

2TE

Φ300μm

850×850um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-0500

Φ500μm

1000×1000um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-1000

Φ1000μm

1410×1410um

140×180um

GESTIN-2TE-TO8-2000

Φ2000μm

2560×2560um

280×360um

GESTIN-2TE-TO8-3000

Φ3000μm

3560×3560um

320×480um

 

EO參數(shù)

Part Number

試驗(yàn)溫度Tch(℃)

光譜響應(yīng) λ (nm)

暗電流 ID(μA)

Junction Capacity (結(jié)電容)C(f=1MHz,VR=0V) (pF)

VR=0.01V

VR=0.5V

GESTIN-2TE-TO8-0300

25

900-2700

0.1

0.5

50

GESTIN-2TE-TO8-0500

0.2

1

100

GESTIN-2TE-TO8-1000

1

4

300

GESTIN-2TE-TO8-2000

4

10

800

GESTIN-2TE-TO8-3000

10

40

2000

 

Part Number

峰值響應(yīng)(A/W)

結(jié)阻抗Rsh(VR=10mV) MΩ

峰值檢測率D*(cm·Hz1/2/W)

噪聲當(dāng)量Power  NEP  (W/Hz1/2)

GESTIN-2TE-TO8-0300

1.0

3500

3×1012

8.9×10-15

GESTIN-2TE-TO8-0500

1000

1.5×10-14

GESTIN-2TE-TO8-1000

300

3.0×10-14

GESTIN-2TE-TO8-2000

80

5.9×10-14

GESTIN-2TE-TO8-3000

40

8.9×10-14

 

Response Cure(響應(yīng))

 

TEC參數(shù)


操作環(huán)境

Parameter

Typ

操作溫度(℃)

-45~+55

儲(chǔ)存溫度(℃)

-50~+60

 

熱電冷卻器的特性

探測器集成了一個(gè)兩級熱電冷卻器(TEC),冷卻表面的中心為探測器下表面的中心,冷卻面積應(yīng)≥6mm×6mm,其性能參數(shù)如下表所示:

性能指標(biāo)

Value

Max. 熱負(fù)荷功率(Qmax/W)

0.93W

允許的Max. 負(fù)載電流(ITEC-max/A)

1A

允許的Max. 負(fù)載電壓(VTEC-max/V)

2V

 

溫度監(jiān)測模塊特性

該探測器使用熱敏電阻作為溫度監(jiān)測模塊。電阻值與工作溫度下的溫度之間的映射如下表所示:

 

溫度(℃)

電阻(kΩ)

溫度(℃)

電阻(kΩ)

-65

94.270

-15

6.909

-60

69.290

-10

5.587

-55

51.500

-5

4.549

-50

38.700

0

3.729

-45

29.400

5

3.075

-40

22.560

10

2.55

-35

17.490

15

2.126

-30

13.690

20

1.782

-25

10.810

25

1.5

-20

8.608

30

1.268

 

熱敏電阻值與溫度的對應(yīng)關(guān)系如下:


T1:試驗(yàn)?zāi)繕?biāo)溫度,單位為℃;

T2:參考點(diǎn)溫度,單位:℃,參考溫度在-20~70℃范圍內(nèi)的典型值為10或40℃,應(yīng)選擇接近目標(biāo)溫度的參考溫度。

R1:T1對應(yīng)的熱敏電阻阻值,單位為kΩ;

R2:T2對應(yīng)的熱敏電阻阻值,單位為kΩ;

B: T2對應(yīng)的熱敏電阻阻值,單位為kΩ;

B: 在20~70度之間,典型的B值為3019.6±60。


注意:

a) 在TEC安裝過程中,請注意外部電氣結(jié)構(gòu)引入的新電阻。如果新電阻超過

當(dāng)TEC電阻為10%時(shí),需要重新校準(zhǔn)I-V曲線。

b) 建議以連接電阻較小的方式打開TEC。如果需要焊接,則需要短路

接地保護(hù),焊接溫度≤250℃,焊接時(shí)間<10s;


尺寸和光纖定義






公司簡介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司成立于2014年,是一家被上海市評為高新技術(shù)企業(yè)和擁有上海市專精特新企業(yè)稱號的專業(yè)光學(xué)服務(wù)公司,業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項(xiàng)目合作研發(fā),公司位于大虹橋商務(wù)板塊,擁有接近2000m2的辦公區(qū)域,建有500平優(yōu)良的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實(shí)驗(yàn)室,為國內(nèi)外客戶提供專業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營光學(xué)元件、激光光學(xué)測試設(shè)備、以及光學(xué)系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。十年來,依托專業(yè)、強(qiáng)大的技術(shù)支持,以及良好的商務(wù)支持團(tuán)隊(duì),筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長。目前業(yè)務(wù)覆蓋國內(nèi)外各有名高校、*科研機(jī)構(gòu)及相關(guān)領(lǐng)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團(tuán)隊(duì)以及專業(yè)的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室,奠定了我們在設(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)領(lǐng)域堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
主要經(jīng)營
激光器/光源
半導(dǎo)體激光器(DFB激光器、SLD激光器、量子級聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器)
氣體激光器(HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器)
光纖激光器(連續(xù)激光器、超短脈沖激光器)
光學(xué)元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅(qū)動(dòng)板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準(zhǔn)直器、光接收組件、激光控制驅(qū)動(dòng)器等各種無源器件
激光分析設(shè)備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀,激光波長計(jì)、紅外相機(jī)、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀察鏡等
光纖處理設(shè)備
光纖拉錐機(jī)、裸光纖研磨機(jī) 。 


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