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銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ0.3mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。
銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ3mm InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm to 2.6 μm）等特點。
2mm大光敏面InGaSe光電探測器是一個全色PIN光電二極管，截止波長高達2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半導(dǎo)體InGaAs材料用于制作各種光電器件，材料本身性能穩(wěn)定。
便于客戶供電即用，探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng)，從而扭曲光電二極管的時域響應(yīng)。因此，我們建議使光入射在有效面積中心。為此，可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔 半導(dǎo)體激光二極管。 超大光敏面 銦鎵砷(InGaAs)PIN結(jié)二極管(PD) 光電二極管（10mm）近紅外波長
