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  • 145GHz光電探測器模塊(單模光纖)
    145GHz光電探測器模塊(單模光纖)

    145GHz光電探測器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽 該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信( 1T/bs PAM),電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測器模塊。

    更新時間:2024-12-06型號:訪問量:818
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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm
    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時間響應(yīng)、低暗電流和高靈敏度。光譜響應(yīng)范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內(nèi)。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設(shè)計。

    更新時間:2024-12-06型號:訪問量:965
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  • 硅(Si)放大型光電探測器 320 -1100nm (DC - 200kHz)
    硅(Si)放大型光電探測器 320 -1100nm (DC - 200kHz)

    硅(Si)放大型光電探測器 320 -1100nm (DC - 200kHz) 應(yīng)用領(lǐng)域: ?顯示面板檢測 ?LED照明頻閃分析 ?玩具燈閃爍頻率及功率測量 ?氣體分析

    更新時間:2024-12-05型號:訪問量:930
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  • ET-2070美國EOT - 硅光電探測器 >118 MHz
    ET-2070美國EOT - 硅光電探測器 >118 MHz

    美國EOT - 硅光電探測器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸出連接:BNC

    更新時間:2024-12-04型號:ET-2070訪問量:950
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  • PN#MP-Si-8-TO88mm大光敏面硅(Si)硅光電探測器
    PN#MP-Si-8-TO88mm大光敏面硅(Si)硅光電探測器

    8mm大光敏面硅(Si)硅光電探測器在反向偏置條件下工作。峰值波長在 940nm 左右,光譜探測范圍從 400nm~1100nm。

    更新時間:2024-12-04型號:PN#MP-Si-8-TO8訪問量:1046
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  • 16mm四象限Si光電探測器SIQ1600
    16mm四象限Si光電探測器SIQ1600

    16mm四象限Si光電探測器SIQ1600:器件是N型硅象限探測器,當(dāng)光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時,則各個象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時,由于象限間輻射通量的變化,引起各個象限的輸出光電流的變化,由此可測出物體的方位,從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。 16mm四象限Si光電探測器/N型硅象限探測器 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W

    更新時間:2024-12-04型號:訪問量:956
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