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InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內(nèi)置TEC制冷型)

簡要描述:銦鎵砷 InGaAs InGaAs PIN光電二極管 φ2mm

InGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測,具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍(0.5 μm to 2.6 μm)等特點。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
  • 更新時間:2024-12-05
  • 訪  問  量:1215

詳細介紹

品牌其他品牌產(chǎn)地類別進口
應(yīng)用領(lǐng)域化工,能源,建材,電子

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內(nèi)置TEC制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測的技術(shù)需求,實現(xiàn)對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

光譜響應(yīng)
900-1700nm
響應(yīng)度
@1550nm 0.85 A/W
技術(shù)參數(shù)

線性模式參數(shù)

產(chǎn)品型號

IGA-APD-GM104-TEC

參數(shù)

符號

單位

測試條件

最小

典型

最大

反向擊穿電壓

VBR

V

22℃±3℃ ,ID =10μA

60

80

90

響應(yīng)度

Re

A/W

22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22℃±3℃,M =10


0.1

0.3

電容

C

pF

22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



0.25

擊穿電壓溫度系數(shù)

η

V/K

-40℃ ~80℃,ID =10μA



0.15


蓋革模式參數(shù)

參數(shù)

單位

測試條件

最小

典型

最大

單光子探測效率 PDE

%

-45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布單光子源

20



暗計數(shù)率 DCR

 

kHz

-45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



 

20*

后脈沖概率 APP


-45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



1× 10-3

時間抖動Tj

ps

-45℃,1ns 門寬,2MHz門控重頻,PDE=20%



100

* 可提供不同等級規(guī)格產(chǎn)品


室溫IV曲線

BPD2.png

DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

BPD3.png

溫度系數(shù)

BPD4.png

電容電壓

BPD5.png


產(chǎn)品特點

● 光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm 

● 高探測效率、低暗計數(shù)率 

● 6 pin TO8

尺寸規(guī)格

封裝外形、尺寸及引腳定義 TO8 (尾纖封裝)

BPD6.png


產(chǎn)品應(yīng)用

● 弱光探測 

● 量子保密通信 

● 生物醫(yī)療

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內(nèi)置TEC制冷型)

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