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簡要描述:InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測(cè)。
詳細(xì)介紹
品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
---|---|---|---|
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)
InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測(cè)。
線性模式參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào) | IGA-APD-GM104-R | |||||
參數(shù) | 符號(hào) | 單位 | 測(cè)試條件 | 最小 | 典型 | 最大 |
反向擊穿電壓 | VBR | V | 22℃±3℃ ,ID =10μA | 60 | 80 | 90 |
響應(yīng)度 | Re | A/W | 22℃±3℃ ,λ =1550nm ,M =1 | 0.8 | 0.85 | |
暗電流 | ID | nA | 22℃±3℃ ,M =10 | 0.1 | 0.3 | |
電容 | C | pF | 22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz | 0.25 | ||
擊穿電壓溫度 系數(shù) | η | V/K | -40℃ ~80℃,ID =10μA | 0.15 |
蓋革模式參數(shù)
參數(shù) | 單位 | 測(cè)試條件 | 最小 | 典型 | 最大 |
單光子探測(cè)效 率PDE | % | -45℃ ,λ =1550nm, 0.1ph/pulse 泊松分布單光子源 | 20 | ||
暗計(jì)數(shù)率DCR | kHz | -45℃ ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20% |
20* | ||
后脈沖概率 APP | -45℃ ,1ns門寬, 2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20% |
1× 10-3 | |||
時(shí)間抖動(dòng)Tj | ps | -45℃ ,1ns 門 寬 ,2MHz門控重頻,PDE=20% | 100 |
* 可提供不同等級(jí)規(guī)格產(chǎn)品
● 光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm
● 高探測(cè)效率、低暗計(jì)數(shù)率
● 3 pin TO46
TO46 (尾纖封裝)
● 弱光探測(cè)
● 量子保密通信
● 生物醫(yī)療
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)
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